Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W NEXPERIA
Номер продукта: 2N7002NXBKR
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-07-18 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
2N7002NXBKR
Case
SOT23
Drain current
0.17A
Drain-source voltage
60V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
1nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
5.7Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.31W
Pulsed drain current
0.9A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
2N7002NXBKR
Product ID
U-2207236
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
