Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3 INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: IPD60R600P7SAUMA1
Сроки доставки
2024-09-19 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2378 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Параметры товара поставщика
Product code
IPD60R600P7SAUMA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPD60R600P7SAUMA1
Product ID
U-2726622
Case
PG-TO252-3
Drain current
4A
Drain-source voltage
600V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
9nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
0.6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
30W
Pulsed drain current
16A
Technology
CoolMOS™ P7
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
