Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223 DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN3032LE-13
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-09-09 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2474 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223 DIODES INCORPORATED
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN3032LE-13
Product ID
U-166331
Case
SOT223
Drain current
4.1A
Drain-source voltage
30V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
29mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.8W
Pulsed drain current
25A
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
DMN3032LE-13
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
