Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Номер продукта: BSC100N03MSGATMA1
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-133026
NomNr
BSC100N03MSGATMA1
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
BSC100N03MSGATMA1
Case
PG-TDSON-8
Drain current
28A
Drain-source voltage
30V
Features of semiconductor devices
logic level
Gate charge
5.8nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
10mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
30W
Pulsed drain current
176A
Technology
OptiMOS™ 3
Type of transistor
N-MOSFET
Supplier's product code
BSC100N03MSGATMA1
Product ID
U-133026
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
