Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.75A; Idm: 10A; 0.45W; SOT23 DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN3730UFB4-7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.75A; Idm: 10A; 0.45W; SOT23 DIODES INCORPORATED
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.75A; Idm: 10A; 0.45W; SOT23
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN3730UFB4-7
Product ID
U-166346
Product code
DMN3730UFB4-7
Case
SOT23
Drain current
0.75A
Drain-source voltage
30V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
0.46Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.45W
Pulsed drain current
10A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
