Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 4A; 0.8W; SC70
Параметры товара поставщика
Product code
SI1922EDH-T1-GE3
Product ID
U-3825390
Case
SC70
Drain current
1.3A
Drain-source voltage
20V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
2.5nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
198mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.8W
Pulsed drain current
4A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI1922EDH-T1-GE3
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].