Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 104A; 1135W MICROCHIP (MICROSEMI)

Номер продукта: APT28M120B2
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 104A; 1135W MICROCHIP (MICROSEMI)

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-1905801
Марка
NomNr
APT28M120B2

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 104A; 1135W

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
APT28M120B2
Product ID
U-1905801
Case
TO247MAX
Drain current
18A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
300nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
530mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1135W
Pulsed drain current
104A
Technology
POWER MOS 8®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT28M120B2
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].