Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A IXYS
Номер продукта: IXTA130N10T7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
IXTA130N10T7
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXTA130N10T7
Product ID
U-2726949
Case
TO263-7
Drain current
130A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
104nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
On-state resistance
9.1mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
360W
Pulsed drain current
350A
Reverse recovery time
77ns
Technology
TrenchMV™
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
