Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 26A; 8.3W NEXPERIA
Номер продукта: PHT6NQ10T.135
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 26A; 8.3W
Параметры товара поставщика
Product code
PHT6NQ10T.135
Case
SOT223
Drain current
6.5A
Drain-source voltage
100V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
90mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
8.3W
Pulsed drain current
26A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
PHT6NQ10T.135
Product ID
U-2734278
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
