Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W LUGUANG ELECTRONIC
Номер продукта: LGE3M28065Q
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W LUGUANG ELECTRONIC
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
LGE3M28065Q
Brand
LUGUANG ELECTRONIC
Supplier's product code
LGE3M28065Q
Product ID
U-3869670
Case
TO247-4
Drain current
67A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
163nC
Gate-source voltage
-4...18V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
LUGUANG ELECTRONIC
Mounting
THT
On-state resistance
39mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
326W
Pulsed drain current
211A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
