Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W LUGUANG ELECTRONIC
Tootekood: LGE3M28065Q
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W LUGUANG ELECTRONIC
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
LGE3M28065Q
Brand
LUGUANG ELECTRONIC
Supplier's product code
LGE3M28065Q
Product ID
U-3869670
Case
TO247-4
Drain current
67A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
163nC
Gate-source voltage
-4...18V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
LUGUANG ELECTRONIC
Mounting
THT
On-state resistance
39mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
326W
Pulsed drain current
211A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
