Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Номер продукта: G3R160MT17J
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-2721684
NomNr
G3R160MT17J
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
G3R160MT17J
Supplier's product code
G3R160MT17J
Product ID
U-2721684
#Promotion
aac_202202
Case
TO263-7
Drain current
15A
Drain-source voltage
1.7kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
51nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
0.16Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
187W
Pulsed drain current
48A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
