Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W NEXPERIA
Номер продукта: NSF080120L3A0Q
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-07-18 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 29 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
NSF080120L3A0Q
Product ID
U-3792417
Case
TO247-3
Drain current
25A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
52nC
Gate-source voltage
-10...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
THT
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
183W
Pulsed drain current
80A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
NSF080120L3A0Q
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
