Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A MICROCHIP (MICROSEMI)

Номер продукта: APT1201R6BVFRG
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A MICROCHIP (MICROSEMI)

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-1905739
Марка
NomNr
APT1201R6BVFRG

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
APT1201R6BVFRG
Supplier's product code
APT1201R6BVFRG
Product ID
U-1905739
Case
TO247-3
Drain current
8A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
230nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
1.6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
280W
Pulsed drain current
32A
Technology
POWER MOS 5®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
MICROCHIP
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].