Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W SHINDENGEN
Номер продукта: P10F50HP2-5600
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-07-26 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 39 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W SHINDENGEN
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-1937080
NomNr
P10F50HP2-5600
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
P10F50HP2-5600
Supplier's product code
P10F50HP2-5600
Product ID
U-1937080
Case
FTO-220AG (SC91)
Drain current
10A
Drain-source voltage
500V
Gate charge
20nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
bulk
Manufacturer
SHINDENGEN
Mounting
THT
On-state resistance
0.75Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
79W
Pulsed drain current
40A
Technology
Hi-PotMOS2
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
