Transistor: N-MOSFET; unipolar; 28V; 1.2A; Idm: 6.4A; 350mW; SOT323 DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN3150LW-7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 28V; 1.2A; Idm: 6.4A; 350mW; SOT323 DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 28V; 1.2A; Idm: 6.4A; 350mW; SOT323
Параметры товара поставщика
Product code
DMN3150LW-7
Supplier's product code
DMN3150LW-7
Product ID
U-2876175
Case
SOT323
Drain current
1.2A
Drain-source voltage
28V
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
138mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.35W
Pulsed drain current
6.4A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
