Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMT6004SCT
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB
Параметры товара поставщика
Product code
DMT6004SCT
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMT6004SCT
Product ID
U-2467550
Case
TO220AB
Drain current
100A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
95.4nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
THT
On-state resistance
3.1mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
113W
Pulsed drain current
180A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
