💼 Kas soovite saada meie B2B kliendiks? Kirjutage [email protected] aadressile
💼 Kas soovite saada meie B2B kliendiks? [email protected]

Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 33A; 417W; TO247-3 MICROCHIP (MICROSEMI)

Номер продукта: APT25GP120BDQ1G
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 33A; 417W; TO247-3 MICROCHIP (MICROSEMI)

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-1869273
Марка
NomNr
APT25GP120BDQ1G

Описание товара от поставщика

Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 33A; 417W; TO247-3

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
APT25GP120BDQ1G
Product ID
U-1869273
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT25GP120BDQ1G
Case
TO247-3
Collector current
33A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
110nC
Gate-emitter voltage
±30V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Power dissipation
417W
Pulsed collector current
90A
Technology
POWER MOS 7®
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
200ns
Turn-on time
26ns
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].