Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 33A; 417W; TO247-3 MICROCHIP (MICROSEMI)
Toote kood: APT25GP120BDQ1G
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 33A; 417W; TO247-3
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
APT25GP120BDQ1G
Product ID
U-1869273
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT25GP120BDQ1G
Case
TO247-3
Collector current
33A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
110nC
Gate-emitter voltage
±30V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Power dissipation
417W
Pulsed collector current
90A
Technology
POWER MOS 7®
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
200ns
Turn-on time
26ns
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
