Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 30A; 357W; T-Max MICROCHIP (MICROSEMI)
Номер продукта: APT33GF120B2RDQ2G
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 30A; 357W; T-Max
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
APT33GF120B2RDQ2G
Case
T-Max
Collector current
30A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
170nC
Gate-emitter voltage
±30V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Power dissipation
357W
Pulsed collector current
75A
Technology
NPT
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
355ns
Turn-on time
31ns
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT33GF120B2RDQ2G
Product ID
U-1869364
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
