💼 Kas soovite saada meie B2B kliendiks? Kirjutage [email protected] aadressile
💼 Kas soovite saada meie B2B kliendiks? [email protected]

Transistor: IGBT x4; BiMOSFET™; 3kV; 22A; 150W; SMPD IXYS

Номер продукта: MMIX4B22N300
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: IGBT x4; BiMOSFET™; 3kV; 22A; 150W; SMPD IXYS

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-261751
Марка
NomNr
MMIX4B22N300

Описание товара от поставщика

Transistor: IGBT x4; BiMOSFET™; 3kV; 22A; 150W; SMPD

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
MMIX4B22N300
Brand
IXYS
Supplier's product code
MMIX4B22N300
Product ID
U-261751
Case
SMPD
Collector current
22A
Collector-emitter voltage
3kV
Features of semiconductor devices
high voltage
Gate charge
110nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
Power dissipation
150W
Pulsed collector current
165A
Technology
BiMOSFET™
Type of transistor
IGBT x4
Topology
H-bridge
Turn-off time
1.87µs
Turn-on time
743ns
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].