Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268 IXYS
Номер продукта: IXBT16N170A
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-08-30 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 9 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
IXBT16N170A
Case
TO268
Collector current
10A
Collector-emitter voltage
1.7kV
Features of semiconductor devices
high voltage
Gate charge
65nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
Power dissipation
150W
Pulsed collector current
40A
Technology
BiMOSFET™
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
370ns
Turn-on time
43ns
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXBT16N170A
Product ID
U-220342
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
