Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD IXYS

Номер продукта: MMIX1G120N120A3V1
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD IXYS

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-261739
Марка
NomNr
MMIX1G120N120A3V1

Описание товара от поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
MMIX1G120N120A3V1
Brand
IXYS
Supplier's product code
MMIX1G120N120A3V1
Product ID
U-261739
Case
SMPD
Collector current
105A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Gate charge
420nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
Power dissipation
400W
Pulsed collector current
700A
Technology
BiMOSFET™
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
1365ns
Turn-on time
105ns
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].