Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V NEXPERIA
Номер продукта: GAN041-650WSBQ
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-07-08 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 19 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
GAN041-650WSBQ
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
GAN041-650WSBQ
Product ID
U-2326713
Case
TO247
Drain current
33.4A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
22nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of package
tube
Kind of transistor
cascode
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
THT
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
187W
Pulsed drain current
240A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET/N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
