Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V NEXPERIA
Tootekood: GAN041-650WSBQ
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-11-25 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 15 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
GAN041-650WSBQ
#Promotion
aac_202202
Case
TO247
Drain current
33.4A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
22nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of package
tube
Kind of transistor
cascode
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
THT
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
187W
Pulsed drain current
240A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET/N-MOSFET
Unit price
No
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
GAN041-650WSBQ
Product ID
U-2326713
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
