Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F TOSHIBA
Номер продукта: SSM3J331R
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-07-19 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2770 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SSM3J331R
Product ID
U-1884883
Case
SOT23F
Drain current
-4A
Drain-source voltage
-20V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
TOSHIBA
Mounting
SMD
On-state resistance
0.15Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
-10A
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
TOSHIBA
Supplier's product code
SSM3J331R
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
