Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F; ESD TOSHIBA
Tootekood: SSM3J331R
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-12-04 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 2770 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F; ESD TOSHIBA
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F; ESD
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
SSM3J331R
Case
SOT23F
Drain current
-4A
Drain-source voltage
-20V
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
TOSHIBA
Mounting
SMD
On-state resistance
0.15Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
-10A
Type of transistor
P-MOSFET
Version
ESD
Supplier's product code
SSM3J331R
Product ID
U-1884883
Brand
TOSHIBA
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
