Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W YANGJIE TECHNOLOGY
Номер продукта: YJD80G06A-YAN
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W YANGJIE TECHNOLOGY
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
YJD80G06A-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJD80G06A-YAN
Product ID
U-222283
Case
TO252
Drain current
56A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
31nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
11mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
42.5W
Pulsed drain current
240A
Technology
SPLIT GATE TRENCH
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
