Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW TOSHIBA
Номер продукта: 2SK3475
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2025-01-07 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 43 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW TOSHIBA
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
2SK3475
Case
SOT89
Drain current
1A
Drain-source voltage
20V
Efficiency
45%
Electrical mounting
SMT
Frequency
520MHz
Gate-source voltage
±10V
Kind of channel
depleted
Kind of package
tape
Kind of transistor
RF
Manufacturer
TOSHIBA
Open-loop gain
14.9dB
Output power
630mW
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3W
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
TOSHIBA
Supplier's product code
2SK3475
Product ID
U-80356
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
