Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8 VISHAY

Номер продукта: SI9926CDY-E3
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-4
1.36
5-24
0.74
25-99
0.65
100-499
0.57
500+
0.52
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

1.36
2024-08-27 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-08-27 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно1678 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8 VISHAY

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-324239
Марка
NomNr
SI9926CDY-E3

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
SI9926CDY-E3
Case
SO8
Drain current
6.7A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
33nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
22mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.1W
Type of transistor
N-MOSFET x2
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI9926CDY-E3
Product ID
U-324239
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].