IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA ONSEMI
Номер продукта: NCP5111DR2G
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA ONSEMI
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
NCP5111DR2G
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
NCP5111DR2G
Product ID
U-2417831
Case
SO8
Impulse rise time
160ns
Kind of integrated circuit
high-/low-side
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
Number of channels
2
Operating temperature
-40...125°C
Output current
-500...250mA
Protection
undervoltage UVP
Pulse fall time
75ns
Supply voltage
10...20V DC
Type of integrated circuit
driver
Topology
IGBT half-bridge
Voltage class
600V
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
