Module: IGBT; diode/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 125A IXYS
Номер продукта: MKI100-12F8
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 125A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
NomNr
MKI100-12F8
Brand
IXYS
Supplier's product code
MKI100-12F8
Product ID
U-259881
Case
E3-Pack
Collector current
125A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
640W
Pulsed collector current
200A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
NPT
Type of module
IGBT
Topology
H-bridge
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
