Module: IGBT; diode/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 125A IXYS
Toote kood: MKI100-12F8
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 125A
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
NomNr
MKI100-12F8
Brand
IXYS
Supplier's product code
MKI100-12F8
Product ID
U-259881
Case
E3-Pack
Collector current
125A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
640W
Pulsed collector current
200A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
NPT
Type of module
IGBT
Topology
H-bridge
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
