IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DGD2106MS8-13
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA DIODES INCORPORATED
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA
Полезная информация
Параметры товара поставщика
NomNr
DGD2106MS8-13
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DGD2106MS8-13
Product ID
U-163684
Case
SO8
Impulse rise time
220ns
Integrated circuit features
integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit
high-/low-side
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
Number of channels
2
Operating temperature
-40...125°C
Output current
-600...290mA
Protection
undervoltage UVP
Pulse fall time
80ns
Supply voltage
10...20V DC
Type of integrated circuit
driver
Topology
IGBT half-bridge
Voltage class
600V
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
