Diode: TVS; 100W; 6÷9.8V; 3A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape TAIWAN SEMICONDUCTOR
Toote kood: TESD5V0L1UC-RJG
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Diode: TVS; 100W; 6÷9.8V; 3A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape TAIWAN SEMICONDUCTOR
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Diode: TVS; 100W; 6÷9.8V; 3A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Tarnija toote parameetrid
Product code
TESD5V0L1UC-RJG
Brand
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
TESD5V0L1UC-RJG
Product ID
U-2498027
Breakdown voltage
6...9.8V
Case
DFN1006-2
Kind of package
tape
Leakage current
0.1µA
Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Max. forward impulse current
3A
Max. off-state voltage
5V
Mounting
SMD
Peak pulse power dissipation
100W
Semiconductor structure
bidirectional
Type of diode
TVS
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
