Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.8A; Idm: -25A; 8.4W VISHAY
Tootekood: SIB457EDK-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.8A; Idm: -25A; 8.4W
Tarnija toote parameetrid
Product code
SIB457EDK-T1-GE3
Case
PowerPAK® SC75
Drain current
-6.8A
Drain-source voltage
-20V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
44nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
8.4W
Pulsed drain current
-25A
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIB457EDK-T1-GE3
Product ID
U-3807221
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
