LEMONA

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 VISHAY

Toote kood: SI2333DDS-T1-GE3
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-2
0.57
3-9
0.55
10-24
0.49
25-99
0.41
100+
0.38
B2B

Min. kogus: 1

Mitmekordsus: 1

Kokku:

0.57
2024-08-30 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2024-08-30 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Saadaval2560 tk

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 VISHAY

Kasulik informatsioon


Tehnilised andmed

Laokood
U-1929214
Bränd
NomNr
SI2333DDS-T1-GE3

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23

Kasulik informatsioon

Tarnija toote parameetrid

Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2333DDS-T1-GE3
Product ID
U-1929214
Case
SOT23
Drain current
-5.2A
Drain-source voltage
-12V
Gate charge
35nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.15Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.1W
Pulsed drain current
-20A
Type of transistor
P-MOSFET
Product code
SI2333DDS-T1-GE3
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].