Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A VISHAY
Tootekood: SI2319DS-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-11-11 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 1932 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Tarnija toote parameetrid
Product code
SI2319DS-T1-GE3
Supplier's product code
SI2319DS-T1-GE3
Product ID
U-3822828
Case
SOT23
Drain current
-3A
Drain-source voltage
-40V
Gate charge
17nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.13Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.25W
Pulsed drain current
-12A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Unit price
No
Brand
VISHAY
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
