Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363 PanJit Semiconductor
Tootekood: PJT7800-R1
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-10-09 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 5985 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363 PanJit Semiconductor
Tehnilised andmed
Laokood
U-3139406
NomNr
PJT7800-R1
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Tarnija toote parameetrid
Product code
PJT7800-R1
Supplier's product code
PJT7800-R1
Product ID
U-3139406
Case
SOT363
Drain current
1A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
1.6nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
0.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.35W
Pulsed drain current
4A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Unit price
No
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
