LEMONA

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW PanJit Semiconductor

Toote kood: PJT138K-AU-R1
no gallery
no gallery
Rohkem sarnaseid tooteid

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-9
0.34
10-99
0.30
100-249
0.18
250-499
0.11
500+
0.10
B2B

Min. kogus: 1

Mitmekordsus: 1

Kokku:

0.34
2024-07-18 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2024-07-18 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Saadaval3000 tk

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW PanJit Semiconductor

Tehnilised andmed

Laokood
U-3139403
NomNr
PJT138K-AU-R1

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW

Tarnija toote parameetrid

Product code
PJT138K-AU-R1
Supplier's product code
PJT138K-AU-R1
Product ID
U-3139403
Application
automotive industry
Case
SOT363
Drain current
0.36A
Drain-source voltage
50V
Gate charge
1nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
4.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
236mW
Pulsed drain current
1.2A
Type of transistor
N-MOSFET x2
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].