Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42.1W VISHAY
Toote kood: SISS66DN-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42.1W
Tarnija toote parameetrid
Product code
SISS66DN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SISS66DN-T1-GE3
Product ID
U-3046240
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
142.6A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
85.5nC
Gate-source voltage
-16...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
2.19mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
42.1W
Pulsed drain current
200A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET + Schottky
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
