Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W VISHAY
Tootekood: SIHU4N80AE-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Tarnija toote parameetrid
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHU4N80AE-GE3
Product ID
U-3046087
Case
IPAK
Drain current
2.7A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
32nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
1.27Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
69W
Pulsed drain current
11A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Product code
SIHU4N80AE-GE3
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
