LEMONA

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 148A; 278W; TO220AB VISHAY

Toote kood: SIHP052N60EF-GE3
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Vabandame, meil ei ole enam seda kaupa.

Soovitame valida:

Selle kategooria teised tooted

Kättetoimetamise tähtajad

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Ei ole saadavalEi ole saadaval

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 148A; 278W; TO220AB VISHAY

Tehnilised andmed

Laokood
U-3046038
Bränd
NomNr
SIHP052N60EF-GE3

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 148A; 278W; TO220AB

Tarnija toote parameetrid

Product code
SIHP052N60EF-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHP052N60EF-GE3
Product ID
U-3046038
Case
TO220AB
Drain current
31A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
101nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
52mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
278W
Pulsed drain current
148A
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].