Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 27A; 130W VISHAY
Tootekood: SIHH11N65E-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 27A; 130W
Tarnija toote parameetrid
Product code
SIHH11N65E-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHH11N65E-T1-GE3
Product ID
U-3045999
Case
PowerPAK® 8x8L
Drain current
8A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
68nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
363mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
130W
Pulsed drain current
27A
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
