Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 2A VISHAY
Tootekood: SI1062X-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-11-07 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 5896 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 2A
Tarnija toote parameetrid
Supplier's product code
SI1062X-T1-GE3
Product ID
U-3134442
Case
SC89
Drain current
0.53A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
2.7nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
762mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.22W
Pulsed drain current
2A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Product code
SI1062X-T1-GE3
Brand
VISHAY
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
