Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW NEXPERIA
Tootekood: 2N7002.215
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-09-23 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 45601 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
2N7002.215
Case
SOT23
Drain current
0.19A
Drain-source voltage
60V
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.83W
Pulsed drain current
1.2A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
2N7002.215
Product ID
U-80217
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
