Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W VISHAY
Tootekood: SIS412DN-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-11-14 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 2984 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Tarnija toote parameetrid
Product code
SIS412DN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIS412DN-T1-GE3
Product ID
U-3126045
#Promotion
aac_202202
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
12A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
12nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
24mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
10W
Pulsed drain current
30A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
