Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 2A; 12W VISHAY
Tootekood: SIA456DJ-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 2A; 12W
Tarnija toote parameetrid
Product code
SIA456DJ-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIA456DJ-T1-GE3
Product ID
U-3807694
#Promotion
aac_202202
Case
PowerPAK® SC70
Drain current
2.6A
Drain-source voltage
200V
Gate charge
14.5nC
Gate-source voltage
±16V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
1.38Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
12W
Pulsed drain current
2A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
