Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W ONSEMI
Tootekood: NTHL020N090SC1
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W ONSEMI
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
NTHL020N090SC1
Supplier's product code
NTHL020N090SC1
Product ID
U-1922464
#Promotion
aac_202202
Case
TO247-3
Drain current
83A
Drain-source voltage
900V
Gate charge
196nC
Gate-source voltage
-10...19V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
28mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
251W
Pulsed drain current
427A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Brand
ON SEMICONDUCTOR
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
