LEMONA

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W BRIDGELUX

Toote kood: BXW3M1K7H
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Vabandame, meil ei ole enam seda kaupa.

Soovitame valida:

Selle kategooria teised tooted

Kättetoimetamise tähtajad

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Ei ole saadavalEi ole saadaval

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W BRIDGELUX

Kasulik informatsioon


Tehnilised andmed

Laokood
U-2590572
Bränd
NomNr
BXW3M1K7H

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W

Kasulik informatsioon

Tarnija toote parameetrid

Product code
BXW3M1K7H
Brand
BRIDGELUX
Supplier's product code
BXW3M1K7H
Product ID
U-2590572
Case
TO247-3
Drain current
3A
Drain-source voltage
1.7kV
Gate charge
15nC
Gate-source voltage
-3...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
BRIDGELUX
Mounting
THT
On-state resistance
1.69Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
69W
Pulsed drain current
12A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].